制造商产品编号:
R6049YNZ4C13
Product Overview
制造商:
Rohm Semiconductor
零件编号:
R6049YNZ4C13-DG
描述:
NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
详细描述:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 448W (Tc) Through Hole TO-247G
库存:
600 件 新原装 现货
13238648
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R6049YNZ4C13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
ROHM Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
49A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 11A, 12V
Vgs（th） （最大值） @ Id
6V @ 2.9mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2940 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
448W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247G
包装 / 外壳
TO-247-3
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
846-R6049YNZ4C13
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
数字证书
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