制造商产品编号:
FCD2250N80Z
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCD2250N80Z-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK
详细描述:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12839180
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FCD2250N80Z 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
800 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 260µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
585 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
39W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FCD2250
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FCD2250N80ZCT
FCD2250N80ZTR
FCD2250N80ZDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD80R2K4P7ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2421
部件编号
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
单价
0.29
替代类型
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