制造商产品编号:
FCP9N60N
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCP9N60N-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
12839192
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FCP9N60N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SuperMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP9N60
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPP60R299CPXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
IPP60R299CPXKSA1-DG
单价
1.25
替代类型
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