2SB817C-1E
制造商产品编号:

2SB817C-1E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

2SB817C-1E-DG

描述:

TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L

库存:

12837070
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2SB817C-1E 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
12 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
140 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
120 W
频率 - 过渡
10MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包
TO-3P-3L
基本产品编号
2SB817

附加信息

标准套餐
30
其他名称
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FJA4210OTU
制造商
onsemi
可用数量
392
部件编号
FJA4210OTU-DG
单价
1.81
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