制造商产品编号:
2SB817C-1E
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2SB817C-1E-DG
描述:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
库存:
12837070
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2SB817C-1E 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
12 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
140 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
2V @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
120 W
频率 - 过渡
10MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包
TO-3P-3L
基本产品编号
2SB817
附加信息
标准套餐
30
其他名称
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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