制造商产品编号:
BC637RL1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
BC637RL1G-DG
描述:
TRANS NPN 60V 1A TO92
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
库存:
12837076
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
BC637RL1G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
1 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
60 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
基本产品编号
BC637
附加信息
标准套餐
2,000
其他名称
2156-BC637RL1G-ONTR
ONSONSBC637RL1G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
数字证书
相关产品
