VN10LPSTZ
制造商产品编号:

VN10LPSTZ

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

VN10LPSTZ-DG

描述:

MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

库存:

12904899
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VN10LPSTZ 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
270mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
625mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
E-Line (TO-92 compatible)
包装 / 外壳
E-Line-3, Formed Leads

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
2N7000-D75Z
制造商
onsemi
可用数量
8017
部件编号
2N7000-D75Z-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2N7000-D74Z
制造商
onsemi
可用数量
27687
部件编号
2N7000-D74Z-DG
单价
0.09
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2N7000-D26Z
制造商
onsemi
可用数量
14242
部件编号
2N7000-D26Z-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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