制造商产品编号:
2N7000RLRMG
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
2N7000RLRMG-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详细描述:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
库存:
12836033
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2N7000RLRMG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
200mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
60 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-92 (TO-226)
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
基本产品编号
2N7000
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,000
其他名称
2156-2N7000RLRMG-ONTB
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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