制造商产品编号:
IRFBA90N20DPBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRFBA90N20DPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
详细描述:
N-Channel 200 V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
库存:
12805085
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IRFBA90N20DPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
HEXFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
98A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 59A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
650W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
SUPER-220™ (TO-273AA)
包装 / 外壳
TO-273AA
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SP001551776
*IRFBA90N20DPBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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