IRFBA90N20DPBF
制造商产品编号:

IRFBA90N20DPBF

Product Overview

制造商:

Infineon Technologies

零件编号:

IRFBA90N20DPBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
详细描述:
N-Channel 200 V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)

库存:

12805085
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IRFBA90N20DPBF 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
HEXFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
98A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
6080 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
650W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
SUPER-220™ (TO-273AA)
包装 / 外壳
TO-273AA

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000
其他名称
SP001551776
*IRFBA90N20DPBF

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STW75NF20
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STW75NF20-DG
单价
2.14
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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