制造商产品编号:
IRFS3207ZPBF
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
IRFS3207ZPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12805086
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IRFS3207ZPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
HEXFET®
产品状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
75 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 150µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6920 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
SP001567946
64-2154PBF
64-2154PBF-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB035N08N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
977
部件编号
IPB035N08N3GATMA1-DG
单价
1.84
替代类型
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零件编号
STB140NF75T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1648
部件编号
STB140NF75T4-DG
单价
1.68
替代类型
MFR Recommended
零件编号
IPB025N08N3GATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
15101
部件编号
IPB025N08N3GATMA1-DG
单价
2.48
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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