制造商产品编号:
BSO615CT
Product Overview
制造商:
Infineon Technologies
零件编号:
BSO615CT-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
详细描述:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
库存:
12840966
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BSO615CT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
SIPMOS®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 20µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22.5nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO615
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
BSO615CXTINTR
BSO615CXTINDKR
BSO615CXTINCT
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
3 (168 Hours)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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