QJD1210SA1
制造商产品编号:

QJD1210SA1

Product Overview

制造商:

Powerex Inc.

零件编号:

QJD1210SA1-DG

描述:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module

库存:

12841161
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QJD1210SA1 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Powerex
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.6V @ 34mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
8200pF @ 10V
功率 - 最大值
520W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
包装 / 外壳
Module
供应商设备包
Module
基本产品编号
QJD1210

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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