BSL373SNH6327XTSA1
制造商产品编号:

BSL373SNH6327XTSA1

Product Overview

制造商:

Infineon Technologies

零件编号:

BSL373SNH6327XTSA1-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
详细描述:
N-Channel 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6

库存:

12849584
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
ZKkU
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

BSL373SNH6327XTSA1 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
OptiMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
2A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 218µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
265 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
PG-TSOP6-6
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

数据表和文档

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
2156-BSL373SNH6327XTSA1
SP000942916
IFEINFBSL373SNH6327XTSA1

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
DMN10H220LVT-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
DMN10H220LVT-13-DG
单价
0.14
替代类型
MFR Recommended
零件编号
PMN280ENEAX
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3789
部件编号
PMN280ENEAX-DG
单价
0.07
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDC8601
制造商
onsemi
可用数量
3048
部件编号
FDC8601-DG
单价
0.49
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
onsemi

FQD6N50CTF

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

onsemi

FDP2570

MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3

onsemi

FDBL0150N60

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

FDS5690-NBBM009A

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC