FDP2570
制造商产品编号:

FDP2570

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDP2570-DG

描述:

MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
详细描述:
N-Channel 150 V 22A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

12849588
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDP2570 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
150 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
22A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1911 pF @ 75 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
93W (Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP25

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
400

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRFB4019PBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
743
部件编号
IRFB4019PBF-DG
单价
0.76
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FDBL0150N60

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

FDS5690-NBBM009A

MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4N60

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

onsemi

FDPF39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220F