BCR135SE6327BTSA1
制造商产品编号:

BCR135SE6327BTSA1

Product Overview

制造商:

Infineon Technologies

零件编号:

BCR135SE6327BTSA1-DG

描述:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

库存:

12843623
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BCR135SE6327BTSA1 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列,预偏置
制造商
Infineon Technologies
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基座 (R1)
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)
47kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
频率 - 过渡
150MHz
功率 - 最大值
250mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BCR135S

数据表和文档

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
SP000012335
BCR 135S E6327-DG
BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR
BCR 135S E6327
BCR135SE6327XT

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
UMH2N-TP
制造商
Micro Commercial Co
可用数量
3000
部件编号
UMH2N-TP-DG
单价
0.06
替代类型
MFR Recommended
零件编号
MUN5215DW1T1G
制造商
onsemi
可用数量
8150
部件编号
MUN5215DW1T1G-DG
单价
0.03
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DDC143TU-7-F
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
210207
部件编号
DDC143TU-7-F-DG
单价
0.05
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DDC114YU-7-F
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
175407
部件编号
DDC114YU-7-F-DG
单价
0.05
替代类型
MFR Recommended
零件编号
MUN5214DW1T1G
制造商
onsemi
可用数量
47682
部件编号
MUN5214DW1T1G-DG
单价
0.02
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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