制造商产品编号:
DMJ70H900HJ3
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMJ70H900HJ3-DG
描述:
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
详细描述:
N-Channel 700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
库存:
12888530
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMJ70H900HJ3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
700 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
603 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
68W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-251
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
DMJ70
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPSA70R900P7SAKMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
4
部件编号
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
单价
0.63
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
DMP3015LSSQ-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
DMN10H220LQ-13
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
DMP2070UCB6-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
