制造商产品编号:
DMT6009LJ3
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMT6009LJ3-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
详细描述:
N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)
库存:
12888550
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DMT6009LJ3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
74.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±16V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.9W (Ta), 83.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-251 (Type TH)
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
DMT6009
附加信息
标准套餐
75
其他名称
DMT6009LJ3DI
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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