制造商产品编号:
DMG4511SK4-13
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMG4511SK4-13-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
详细描述:
Mosfet Array 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
库存:
2496 件 新原装 现货
12888121
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DMG4511SK4-13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel, Common Drain
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
35V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.3A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18.7nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
850pF @ 25V
功率 - 最大值
1.54W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
供应商设备包
TO-252-4L
基本产品编号
DMG4511
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
DMG4511SK4-13DICT
DMG4511SK4-13DIDKR
DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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