制造商产品编号:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMN2014LHAB-7-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
详细描述:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
库存:
2886 件 新原装 现货
12888156
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DMN2014LHAB-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1550pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-UFDFN Exposed Pad
供应商设备包
U-DFN2030-6 (Type B)
基本产品编号
DMN2014
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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