DMG4468LFG
制造商产品编号:

DMG4468LFG

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMG4468LFG-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
详细描述:
N-Channel 30 V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8

库存:

12887904
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DMG4468LFG 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
7.62A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
18.85 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
867 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
990mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
U-DFN3030-8
包装 / 外壳
8-PowerUDFN
基本产品编号
DMG4468

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
1034-DMG4468LFGDIDKR
DMG4468LFGDIDKR
1034-DMG4468LFGDITR
DMG4468LFGDITR
DMG4468LFGDICT
1034-DMG4468LFGDICT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RQ3E100MNTB1
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
5261
部件编号
RQ3E100MNTB1-DG
单价
0.40
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMG4468LFG-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
DMG4468LFG-7-DG
单价
0.28
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
RQ3E080BNTB
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
40431
部件编号
RQ3E080BNTB-DG
单价
0.10
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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