制造商产品编号:
DMG4468LFG
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMG4468LFG-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
详细描述:
N-Channel 30 V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
库存:
12887904
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMG4468LFG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7.62A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
18.85 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
867 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
990mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
U-DFN3030-8
包装 / 外壳
8-PowerUDFN
基本产品编号
DMG4468
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
1034-DMG4468LFGDIDKR
DMG4468LFGDIDKR
1034-DMG4468LFGDITR
DMG4468LFGDITR
DMG4468LFGDICT
1034-DMG4468LFGDICT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
RQ3E100MNTB1
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
5261
部件编号
RQ3E100MNTB1-DG
单价
0.40
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMG4468LFG-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
DMG4468LFG-7-DG
单价
0.28
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
相关产品
DMN3008SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
DMN1019USN-13
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
DMN2025U-7
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
