制造商产品编号:
DDA113TU-7-F
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DDA113TU-7-F-DG
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
库存:
10 件 新原装 现货
12884232
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DDA113TU-7-F 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
1kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 过渡
250MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
SOT-363
基本产品编号
DDA113
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
-DDA113TU-7-FDICT
DDA113TU-7-FDIDKR
DDA113TU-7-FDICT
DDA113TU-7-FDITR
-DDA113TU-7-FDIDKR
DDA113TU-7-F-DG
-DDA113TU-7-FDITR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
RN2902,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
8783
部件编号
RN2902,LF(CT-DG
单价
0.03
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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