MUN5111DW1T1G
制造商产品编号:

MUN5111DW1T1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MUN5111DW1T1G-DG

描述:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

库存:

575 件 新原装 现货
12853512
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MUN5111DW1T1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
10kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
250mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
MUN5111

数据表和文档

数据表
MUN5111DW1T1G
HTML 数据表
MUN5111DW1T1G-DG

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
MUN5111DW1T1GOSDKR
2156-MUN5111DW1T1G-OS
2832-MUN5111DW1T1G-488
MUN5111DW1T1G-DG
MUN5111DW1T1GOSCT
ONSONSMUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1GOSTR
2832-MUN5111DW1T1GTR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
RN2902,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
8783
部件编号
RN2902,LF(CT-DG
单价
0.03
替代类型
Similar
零件编号
DDA114EU-7-F
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
16044
部件编号
DDA114EU-7-F-DG
单价
0.05
替代类型
Similar
零件编号
PUMB13,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3002
部件编号
PUMB13,115-DG
单价
0.02
替代类型
Similar
零件编号
DDA114EUQ-7-F
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
0
部件编号
DDA114EUQ-7-F-DG
单价
0.03
替代类型
Direct
零件编号
PUMB11,135
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
7675
部件编号
PUMB11,135-DG
单价
0.02
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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