制造商产品编号:
BSS123TC
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
BSS123TC-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
12884235
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BSS123TC 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
170mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.8V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
20 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
360mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
BSS123
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
10,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
BSS119NH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
42089
部件编号
BSS119NH6327XTSA1-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BSS123
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
可用数量
143884
部件编号
BSS123-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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