制造商产品编号:
SI1413EDH-T1-E3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI1413EDH-T1-E3-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
详细描述:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
库存:
13060318
请求报价
数量
最低1
最低1
uBtt
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
SI1413EDH-T1-E3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
-
系列
TrenchFET®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
450mV @ 100µA (Min)
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SC-70-6
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
基本产品编号
SI1413
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI1413EDH-T1-E3TR
SI1413EDH-T1-E3DKR
SI1413EDHT1E3
SI1413EDH-T1-E3CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
SI7860ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI7190ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
