制造商产品编号:
TP0610K-T1
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
TP0610K-T1-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
详细描述:
P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
库存:
12816777
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
TP0610K-T1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
-
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
185mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
23 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
TP0610
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
TP0610K-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
30276
部件编号
TP0610K-T1-GE3-DG
单价
0.09
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
BSS84PH6433XTMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
21810
部件编号
BSS84PH6433XTMA1-DG
单价
0.04
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TP0610K-T1-E3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
950411
部件编号
TP0610K-T1-E3-DG
单价
0.10
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
BSS84PH6327XTSA2
制造商
Infineon Technologies
可用数量
54606
部件编号
BSS84PH6327XTSA2-DG
单价
0.04
替代类型
MFR Recommended
数字证书
相关产品
CSD17306Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
IRFR9120NCPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK