制造商产品编号:
SQD97N06-6M3L_GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
详细描述:
N-Channel 60 V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
398 件 新原装 现货
12787154
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SQD97N06-6M3L_GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
97A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
6060 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
136W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
SQD97
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,000
其他名称
SQD97N06-6M3L_GE3TR
SQD97N06-6M3L_GE3-DG
SQD97N06-6M3L_GE3CT
SQD97N06-6M3L-GE3
SQD97N06-6M3L_GE3DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD90N06S4L06ATMA2
制造商
Infineon Technologies
可用数量
3430
部件编号
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
单价
0.52
替代类型
MFR Recommended
零件编号
SQR97N06-6M3L_GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
1994
部件编号
SQR97N06-6M3L_GE3-DG
单价
0.59
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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