SIA936EDJ-T1-GE3
制造商产品编号:

SIA936EDJ-T1-GE3

Product Overview

制造商:

Vishay Siliconix

零件编号:

SIA936EDJ-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

库存:

12787354
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SIA936EDJ-T1-GE3 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
-
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
-
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
PowerPAK® SC-70-6 Dual
供应商设备包
PowerPAK® SC-70-6 Dual
基本产品编号
SIA936

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
SIA936EDJ-T1-GE3CT
SIA936EDJ-T1-GE3DKR
SIA936EDJ-T1-GE3TR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SIA906EDJ-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
119578
部件编号
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
单价
0.16
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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