制造商产品编号:
SI8823EDB-T2-E1
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI8823EDB-T2-E1-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
详细描述:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
库存:
2971 件 新原装 现货
12913356
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SI8823EDB-T2-E1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET® Gen III
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
800mV @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
580 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
900mW (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
包装 / 外壳
4-XFBGA
基本产品编号
SI8823
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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