制造商产品编号:
SI8806DB-T2-E1
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI8806DB-T2-E1-DG
描述:
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
详细描述:
N-Channel 12 V 2.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
库存:
1200 件 新原装 现货
12914364
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SI8806DB-T2-E1 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
12 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
4-Microfoot
包装 / 外壳
4-XFBGA
基本产品编号
SI8806
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI8806DB-T2-E1CT
SI8806DB-T2-E1DKR
SI8806DB-T2-E1TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
PMCM4401VNEAZ
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
70616
部件编号
PMCM4401VNEAZ-DG
单价
0.09
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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