制造商产品编号:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI5908DC-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
库存:
27807 件 新原装 现货
12918167
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SI5908DC-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商设备包
1206-8 ChipFET™
基本产品编号
SI5908
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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