制造商产品编号:
SI4800BDY-T1-E3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI4800BDY-T1-E3-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
详细描述:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
库存:
4805 件 新原装 现货
12918549
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SI4800BDY-T1-E3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.8V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±25V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
SI4800
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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