制造商产品编号:
SI4330DY-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI4330DY-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
库存:
12918325
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SI4330DY-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
-
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
SI4330
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IRL6372TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
13964
部件编号
IRL6372TRPBF-DG
单价
0.31
替代类型
MFR Recommended
零件编号
AO4818B
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
82726
部件编号
AO4818B-DG
单价
0.24
替代类型
MFR Recommended
零件编号
SI4202DY-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
SI4202DY-T1-GE3-DG
单价
0.47
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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