制造商产品编号:
SI4166DY-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI4166DY-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
详细描述:
N-Channel 30 V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
库存:
5435 件 新原装 现货
12918157
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SI4166DY-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2730 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 6.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
SI4166
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
SI4166DYT1GE3
SI4166DY-T1-GE3DKR
SI4166DY-T1-GE3CT
SI4166DY-T1-GE3TR
SI4166DY-T1-GE3-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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