制造商产品编号:
SI4114DY-T1-E3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI4114DY-T1-E3-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
详细描述:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
库存:
11030 件 新原装 现货
12914743
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SI4114DY-T1-E3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
20A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±16V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3700 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOIC
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本产品编号
SI4114
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
SI4114DY-T1-E3DKR
SI4114DY-T1-E3CT
SI4114DY-T1-E3-DG
SI4114DY-T1-E3TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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