制造商产品编号:
SI3993DV-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI3993DV-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
详细描述:
Mosfet Array 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
库存:
12920651
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SI3993DV-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
-
系列
TrenchFET®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
830mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包
6-TSOP
基本产品编号
SI3993
附加信息
标准套餐
3,000
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
数字证书
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