制造商产品编号:
SI2333DDS-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
详细描述:
P-Channel 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
库存:
16839 件 新原装 现货
12917664
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SI2333DDS-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
12 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1275 pF @ 6 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
SI2333
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI2333DDS-T1-GE3CT
SI2333DDS-T1-GE3TR
SI2333DDST1GE3
SI2333DDS-T1-GE3DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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