制造商产品编号:
SI1026X-T1-GE3
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
SI1026X-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
详细描述:
Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
库存:
292563 件 新原装 现货
12916877
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SI1026X-T1-GE3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Vishay
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
60V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
30pF @ 25V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SC-89 (SOT-563F)
基本产品编号
SI1026
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SI1026X-T1-GE3DKR
SI1026XT1GE3
SI1026X-T1-GE3CT
SI1026X-T1-GE3TR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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