制造商产品编号:
IRLD110
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
IRLD110-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
详细描述:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
库存:
12910741
请求报价
数量
最低1
最低1
OovR
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
IRLD110 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
250 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
4-HVMDIP
包装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
基本产品编号
IRLD110
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
*IRLD110
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
IRFP23N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3
IRF9640STRRPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
