制造商产品编号:
IRFI830GPBF
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
IRFI830GPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
详细描述:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
795 件 新原装 现货
12909439
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IRFI830GPBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
500 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3.1A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
610 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
35W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本产品编号
IRFI830
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
*IRFI830GPBF
2266-IRFI830GPBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK6A50D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
50
部件编号
TK6A50D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.46
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TK7A50D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
35
部件编号
TK7A50D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.50
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FDPF5N50FT
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
58950
部件编号
FDPF5N50FT-DG
单价
0.85
替代类型
MFR Recommended
零件编号
TK5A50D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
34
部件编号
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.42
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FQPF5N50CYDTU
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
34713
部件编号
FQPF5N50CYDTU-DG
单价
0.72
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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