IRFD123PBF
制造商产品编号:

IRFD123PBF

Product Overview

制造商:

Vishay Siliconix

零件编号:

IRFD123PBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
详细描述:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

库存:

6628 件 新原装 现货
12905629
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IRFD123PBF 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
4-HVMDIP
包装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
基本产品编号
IRFD123

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
*IRFD123PBF

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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