制造商产品编号:
IRFD123PBF
Product Overview
制造商:
Vishay Siliconix
零件编号:
IRFD123PBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
详细描述:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
库存:
6628 件 新原装 现货
12905629
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IRFD123PBF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
360 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
4-HVMDIP
包装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
基本产品编号
IRFD123
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
*IRFD123PBF
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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