IRF830L
制造商产品编号:

IRF830L

Product Overview

制造商:

Vishay Siliconix

零件编号:

IRF830L-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 4.5A I2PAK
详细描述:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK

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IRF830L 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Vishay
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
500 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
610 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I2PAK
包装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本产品编号
IRF830

数据表和文档

数据表
IRF830L
HTML 数据表
IRF830L-DG

附加信息

标准套餐
50
其他名称
*IRF830L

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRF830LPBF
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
IRF830LPBF-DG
单价
0.99
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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