制造商产品编号:
TTC0002(Q)
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TTC0002(Q)-DG
描述:
TRANS NPN 160V 18A TO3P
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)
库存:
63 件 新原装 现货
12890310
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TTC0002(Q) 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
18 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
160 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
2V @ 900mA, 9A
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
180 W
频率 - 过渡
30MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-3PL
供应商设备包
TO-3P(L)
基本产品编号
TTC0002
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
100
其他名称
TTC0002Q
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
数字证书
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