制造商产品编号:
TTA008B,Q
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TTA008B,Q-DG
描述:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
库存:
112 件 新原装 现货
12988717
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TTA008B,Q 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tray
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
2 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
80 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
1.5 W
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126N
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
250
其他名称
264-TTA008B,Q-DG
264-TTA008B,Q
264-TTA008BQ
264-TTA008BQ-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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