制造商产品编号:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TPH1R712MD,L1Q-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
详细描述:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
库存:
12171 件 新原装 现货
12891359
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TPH1R712MD,L1Q 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
60A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
182 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
10900 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
78W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SOP Advance (5x5)
包装 / 外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPH1R712
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
5,000
其他名称
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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