TK9P65W,RQ
制造商产品编号:

TK9P65W,RQ

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

TK9P65W,RQ-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
详细描述:
N-Channel 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK

库存:

12890618
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TK9P65W,RQ 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DTMOSIV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.5V @ 350µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
80W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
TK9P65

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
TK9P65WRQCT
TK9P65WRQDKR
TK9P65W,RQ(S
TK9P65WRQTR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IPD60R600P7SAUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
9704
部件编号
IPD60R600P7SAUMA1-DG
单价
0.25
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