制造商产品编号:
TK40J20D,S1F(O
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TK40J20D,S1F(O-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
详细描述:
N-Channel 200 V 40A (Ta) 260W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
库存:
12943191
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TK40J20D,S1F(O 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
-
系列
π-MOSVIII
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
40A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4300 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
260W (Tc)
工作温度
150°C
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P(N)
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
TK40J20
附加信息
标准套餐
100
其他名称
264-TK40J20DS1F(O
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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