制造商产品编号:
TK31N60W,S1VF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TK31N60W,S1VF-DG
描述:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
库存:
12889718
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TK31N60W,S1VF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tube
系列
DTMOSIV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
30.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.7V @ 1.5mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
230W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-247
包装 / 外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK31N60
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
TK31N60WS1VF
TK31N60W,S1VF(S
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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