制造商产品编号:
TK25E60X5,S1X
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TK25E60X5,S1X-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
详细描述:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
库存:
12889753
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TK25E60X5,S1X 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tube
系列
DTMOSIV-H
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
25A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1.2mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
180W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
TK25E60
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
TK25E60X5S1X
264-TK25E60X5,S1X
TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPP65R125C7XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
470
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单价
2.09
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1.98
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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