制造商产品编号:
TK10V60W,LVQ
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
TK10V60W,LVQ-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
详细描述:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
库存:
12890192
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TK10V60W,LVQ 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DTMOSIV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9.7A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.7V @ 500µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
700 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
88.3W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
4-DFN-EP (8x8)
包装 / 外壳
4-VSFN Exposed Pad
基本产品编号
TK10V60
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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