TK10V60W,LVQ
制造商产品编号:

TK10V60W,LVQ

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

TK10V60W,LVQ-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
详细描述:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 88.3W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)

库存:

12890192
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TK10V60W,LVQ 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DTMOSIV
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.7V @ 500µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
88.3W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
4-DFN-EP (8x8)
包装 / 外壳
4-VSFN Exposed Pad
基本产品编号
TK10V60

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
TK10V60WLVQTR
TK10V60WLVQCT
TK10V60W,LVQ(S
TK10V60WLVQDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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