制造商产品编号:
SSM6N68NU,LF
Product Overview
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件编号:
SSM6N68NU,LF-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
详细描述:
Mosfet Array 30V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-µDFN (2x2)
库存:
1327 件 新原装 现货
12889720
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SSM6N68NU,LF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
84mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
129pF @ 15V
功率 - 最大值
2W (Ta)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商设备包
6-µDFN (2x2)
基本产品编号
SSM6N68
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
SSM6N68NULFDKR
SSM6N68NU,LF(B
SSM6N68NULFCT
SSM6N68NULFTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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