RN4986FE,LF(CT
制造商产品编号:

RN4986FE,LF(CT

Product Overview

制造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件编号:

RN4986FE,LF(CT-DG

描述:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

库存:

3745 件 新原装 现货
12890654
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RN4986FE,LF(CT 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
250MHz, 200MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
ES6
基本产品编号
RN4986

数据表和文档

数据表
RN4986FE

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
RN4986FE(T5LFT)CT-DG
RN4986FELF(CBCT-DG
RN4986FELF(CTCT
RN4986FE,LF(CB
RN4986FELF(CBDKR-DG
RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FELF(CBTR-DG
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-DG
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CBDKR
RN4986FELF(CBCT
RN4986FE(T5LFT)DKR
RN4986FE(T5LFT)DKR-DG
RN4986FELF(CTDKR
RN4986FELF(CBTR
RN4986FE(T5LFT)CT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
PEMD13,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3987
部件编号
PEMD13,115-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
NSBC143ZDXV6T1G
制造商
onsemi
可用数量
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单价
0.05
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PEMH13,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
8000
部件编号
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单价
0.07
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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